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本发明公开了一种高电源抑制比的带隙基准源，涉及集成电路领域。所述基准源包括依次连接的启动电路、主体电路和稳压电路，所述启动电路为整个电路启动时提供偏置，所述主体电路产生并输出高电源抑制比的基准电压源，所述稳压电路稳定所述主体电路的内部电源电...
该专利属于成都锐成芯微科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都锐成芯微科技股份有限公司授权不得商用。

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