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本发明公开了垂直结构纳米阵列LED，包括在衬底上依次复合的底电极层、第一石墨烯层、伞状GaN纳米柱阵列层、P型GaN薄膜、AlxInyGa1‑x‑yN薄膜、第二石墨烯层和顶电极层；所述第一石墨烯层上复合有图形化隔离层；其中，x＝0‑0.35...
该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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