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本申请公开了一种超声波传感器。包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的阱区和空腔，所述阱区围绕所述空腔；位于所述空腔上方的掺杂区，所述掺杂区包括到达所述空腔的多个开口；位于所述掺杂区上方的支撑层，所述支撑层封闭所述多个开口；以及位于所述支撑层上...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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