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一种GaN中子探测器用的大面积厚膜制造技术
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文档序号:19447991
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本发明公开一种GaN中子探测器用的大面积厚膜...
该专利属于东华理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过东华理工大学授权不得商用。
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