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核壳结构的InP/ZnS纳米晶的制备方法技术
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文档序号:19447239
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本发明提供了一种InP纳米晶的制备方法,包括以下步骤:在惰性氛围下,将铟源化合物、油酸、十二胺和三辛基膦混合得到混合液,将所述混合液在真空条件下加热脱气处理,将脱气后的所述混合液在惰性气氛下加热至170‑270℃,直至形成透明的铟前躯体溶液...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。
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