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一种共享型VCSEL与HBT集成结构和制作方法，属于化合物半导体材料及器件技术领域。所述结构中VCSEL与HBT共享n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，且VCSEL与HBT在竖直方向形成串联来减小芯片面积。利用湿法腐...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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