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本发明公开了一种三维多孔铜硅碳复合一体化电极及其制备方法，铜硅简单的球磨方法形成铜硅合金，结合有机膜的非溶剂致相分离法制备前驱体，通过粉末冶金的固相烧结法制备出具有一定韧性及机械强度的三维多孔铜硅膜，利用化学气相沉积法生长石墨烯和碳纳米管，...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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