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本发明公开了一种钝化接触电极结构，其适用的太阳能电池及制作方法，所述的电极结构包括在晶硅衬底上沉积的掺杂半导体层，以及在掺杂半导体层上的铜电极；所述的掺杂半导体层为多晶硅，微晶硅或微晶硅碳合金中的任一种，厚度为5‑100nm。实施过程中，所...
该专利属于苏州太阳井新能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州太阳井新能源有限公司授权不得商用。

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