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本公开提供了一种GaN基垂直型功率晶体管器件及其制作方法；其中，所述GaN基垂直型功率晶体管器件，包括：N型GaN衬底；形成于N型GaN衬底上的N型GaN外延层；形成于N型GaN外延层上的Al(In，Ga)N背势垒层；形成于Al(In，Ga...该专利属于捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所授权不得商用。