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本申请涉及具有栅极堆叠中的隧道二极管的IIIA族氮化物HEMT。一种增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)(150)包括：衬底(102)、衬底上的IIIA族氮化物有源层(104)、有源层上的IIIA族氮化物阻挡层(106)以及至少一个隔离区域...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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