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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有第一初始介质层，第一初始介质层中具有贯穿第一初始介质层的开口；在所述开口中形成金属栅电极，形成所述金属栅电极的方法包括：在所述开口中以及第一初始介质层上形成金属栅电极材料层；...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。