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本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明公开了一种基于具有变铝组分势垒层(Al0～0.50GaN)异质结的逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，具体结构是在GaN层上方生长一层薄的变铝组分Al0～0.5...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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