下载在异质基底上的第III族氮化物缓冲层结构的p型掺杂的技术资料

文档序号:19431602

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本发明涉及在异质基底上的外延第III族氮化物缓冲层结构(100),其中该缓冲层结构(100)包括至少一个应力管理层序列S,该应力管理层序列包括位于第一和第二第III族氮化物层(120,140)之间及与其相邻的间层结构(530),其中该间层结...
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