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本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一开口和第二开口，以第一图形化层为掩膜，去除所述第二开口内的第二保护层和第一保护层，暴露出所述第二开口底部的第一栅氧层；去除所述第二开口底部的第一栅氧层和所述第...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。