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本发明涉及一种晶体管栅极的制造方法，涉及集成电路制造技术，包括：在隔离区与有源区上依次淀积上多晶硅、氮化硅、氧化硅、无定型碳层及有机涂层材料层；刻蚀掉有机涂层材料层，并进一步消除无定型碳层表面的起伏，使经该次刻蚀工艺后的无定型碳层的表面平整...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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