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本发明提出的是一种基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法，其结构自下而上为金刚石、硅纳米层、氮化镓外延层，氮化镓外延层的表面设有漏极、栅极和源极；其制备方法包括：1）清洗；2）涂敷粘合材料；3）临时键合；4）去除碳化硅衬底；5）...该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。
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本发明提出的是一种基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法，其结构自下而上为金刚石、硅纳米层、氮化镓外延层，氮化镓外延层的表面设有漏极、栅极和源极；其制备方法包括：1）清洗；2）涂敷粘合材料；3）临时键合；4）去除碳化硅衬底；5）...