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本揭示内容的数个方面提供一种清洁半导体装置的方法。该方法包括：提供具有一暴露的钴表面的一半导体晶圆，以及用pH大于9且氧化还原电位小于0.0的阴极水清洗该暴露的钴表面。...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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