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本实用新型公开了一种长波长LED外延垒晶片及芯片及全彩发光体，包括：外延垒晶衬底、CaN基外延垒晶层，外延垒晶衬底上表面依次垂直生长有CaN基外延垒晶层，CaN 基外延垒晶层包括：缓冲层：在n型CaN与外延垒晶衬底之间生长CaN缓冲层；n型...
该专利属于东莞市中晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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