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本发明的第一绝缘层(41)设置在半导体基板(31)的第二面(P2)上，具有开口部(OP)。第二绝缘层(6)设置在第二面(P2)，与第一绝缘层(41)分离。层叠体(51)在第二面(P2)上，由氮化镓类材料制成，依次具有侧部n型外延层(7)和第...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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