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本发明提供具有接触沟槽的半导体装置及其制造方法，半导体装置具备：半导体基板；设置在半导体基板的上表面侧的第一导电型的漂移区；设置在漂移区的上方的第二导电型的基区；设置在基区的上方的第一导电型的源区；从源区的上端侧贯通源区和基区而设置的2个以...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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