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设计和制作带有特定地球宇宙射线(TCR)额定值的半导体装置制造方法及图纸
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下载设计和制作带有特定地球宇宙射线(TCR)额定值的半导体装置的技术资料
文档序号:19397992
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在一个实施例中,制造碳化硅(SiC)装置的方法包括:接收对在特定施加电压的特定地球宇宙射线(TCR)额定值的选择;至少基于在特定施加电压的特定TCR额定值来确定SiC装置的击穿电压;至少基于击穿电压来确定漂移层设计参数。漂移层设计参数包括漂...
该专利属于通用电气公司所有,仅供学习研究参考,未经过通用电气公司授权不得商用。
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