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本发明的各个实施例涉及用于集成电路晶体管器件的背侧源极‑漏极接触及其制作方法。集成电路晶体管形成在衬底上和在衬底中。用金属材料至少部分地填充在衬底中的沟槽，以形成埋置在衬底中的源极(或者漏极)接触。衬底进一步包括外延生长在源极(或者漏极)接...
该专利属于意法半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司授权不得商用。

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