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本发明涉及一种具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，其在所述IGBT器件的截面上，元胞内的两个元胞沟槽之间设置第二导电类型注入区；在第一导电类型外延层的上方设置场氧化层以及包裹于所述场氧化层内的屏蔽栅多晶硅，所述屏蔽栅多晶硅位于第二导电类型注入区...
该专利属于江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。

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