温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种绝缘栅双极型半导体器件及其制造方法，在第一导电类型高浓度区内，设置有规则分布的第二导电类型柱区，其从第一主面延伸至第一导电类型高浓度区与低浓度区交界处；在相邻第二导电类型柱区间设置有第二导电类型体...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。