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本发明公开了一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及其制备方法，该CMOS结构自下而上依次包括硅衬底、场区和有源区、第一介质层、无源器件区和第二介质层以及钝化层，所述有源区和场区位于同一水平面上，所述无源器件区和第二介质层位于同一水平面上；所述无...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。