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本发明属于显示应用技术领域，提供了一种QLED器件、显示装置及其制备方法。该QLED器件包括依次设置的衬底、底电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极，还包括由空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成的空穴注入层，其中，界面修饰材料为...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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