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本发明公开了一发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法，其中所述发光二极管的芯片包括依次层叠的一衬底、一氮化镓缓冲层、一N型氮化镓层、一量子阱结构、一P型电子阻拦层以及一P型氮化镓层，其中所述量子阱结构包括至少两量子阱层，每个所述量子阱层依...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

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