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本发明揭示了一种晶体管版图结构、晶体管及制作方法。所述版图结构包括半导体衬底、隔离结构、有源区及叉指栅极；其中，所述隔离结构位于所述半导体衬底中；所述有源区位于所述隔离结构中，所述有源区包括第一部分和多对相间隔的第二部分，每对第二部分分别位...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。