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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有接合凹槽，在所述接合凹槽的表面形成有接合材料层；第二晶圆，在所述第二晶圆上形成有金属柱，其中所述金属柱嵌入并填充所述接合凹槽。通过设置嵌入式...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。