温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及用于栅极高度控制及无空洞RMG填充的集成方案，提供通过斜切控制不同栅极宽度上的NFET及PFET栅极高度的方法及所得装置。实施例包括在鳍片上方形成ILD(层间介电质)；在该ILD中形成空腔，其分别具有相似或不同的宽度；在该ILD上...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。