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本发明提供一种半导体器件的制造方法，在去除所述核心区的栅氧化层之后，对输入输出区的栅氧化层进行第二次氮化处理和第二次氮化后退火处理，可以补足输入输出区的栅氧化层中的氮损失，并修复输入输出区的栅氧化层的表面缺陷，提高了最终形成的输入输出元件的...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。