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本发明公布了一种高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法，即利用微纳操纵转移工艺，将碳纳米管阵列转移并固定在金属支撑体上，实现碳纳米管阵列与金属支撑体的高强度粘接，制备出具有高场发射电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。...
该专利属于北京师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京师范大学授权不得商用。

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