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本发明公开了一种碳化铪薄膜的制备方法，包括：将基片放入磁控溅射设备真空室内的工作架上，向真空室内通入氩气和乙炔的混合气体；设置真空室的工作参数，其中：溅射压强为0.6Pa，溅射电流为30A，偏压为‑120～‑60V，乙炔气体流量为50～20...
该专利属于南京佑天金属科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京佑天金属科技有限公司授权不得商用。

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