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SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置制造方法及图纸
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文档序号:19286525
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本实用新型公开了一种SiCMOSFET变换器漏源电压检测的过流保护装置。包括:漏源电压检测单元、逻辑处理单元、脉冲封锁单元、SiCMOSFET、驱动单元和外部控制器6个单元。无传感器,大大降低检测成本;调节可变电阻的大小可改变过电流保护的阈...
该专利属于西安理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安理工大学授权不得商用。
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