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半导体制程常压废氢气全温程变压吸附提纯再利用的方法技术
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文档序号:19275417
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本发明公开了一种半导体制程常压废氢气全温程变压吸附提纯再利用的方法,通过预处理、变温吸附粗脱、变压吸附提纯及氢气纯化工序,将来自半导体制程中各个工序所产生的含氢废气,包括化学气相沉积、掺杂、光刻、清洗,以及其它工序尾气经过现场处理与中央集中...
该专利属于四川天采科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过四川天采科技有限责任公司授权不得商用。
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