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一种碳化硅芯片阵列包括碳化硅衬底、在碳化硅衬底的顶部的碳化硅层、连接到碳化硅衬底的第一金属接触件、以及分别连接到第一部分和第二部分的两个第二金属接触件。碳化硅层比碳化硅衬底更薄,并具有更低的掺杂度。碳化硅层包括彼此分离的第一部分和第二部分。...该专利属于香港应用科技研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过香港应用科技研究院有限公司授权不得商用。
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一种碳化硅芯片阵列包括碳化硅衬底、在碳化硅衬底的顶部的碳化硅层、连接到碳化硅衬底的第一金属接触件、以及分别连接到第一部分和第二部分的两个第二金属接触件。碳化硅层比碳化硅衬底更薄,并具有更低的掺杂度。碳化硅层包括彼此分离的第一部分和第二部分。...