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FZ硅，其中所述FZ硅在经过低于900℃的加工温度下的任何加工步骤后都显示出其少数载流子寿命没有降低。制备FZ硅的方法，其包括在大于或等于900℃的退火温度下使FZ硅退火，并在低于900℃的加工温度下加工经退火的FZ硅。...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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