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本发明涉及直径至少为175mm且轴向长度在50mm至1000mm范围内的磷掺杂硅单晶，所述磷掺杂硅单晶在横向平面中具有的掺杂剂原子密度为从磷掺杂硅锭切割的晶片提供了5Ωcm至2000Ωcm范围内的目标电阻率(ρNTD)，其中，当在800℃至...
该专利属于TOPSIL环球晶圆股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过TOPSIL环球晶圆股份公司授权不得商用。

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