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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体结构包含一基底，定义有一存储区以及一周边区，一栅极堆叠结构，位于该周边区内，其中该栅极堆叠结构至少包含有一第一栅极层，以及一第二栅极层位于该第一栅极层上，一位线堆叠结构，位于该存储区内，该位线堆...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。