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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成种子层和位于所述种子层之上的底部金属层；在所述底部金属层的侧壁上形成保护层；去除所述种子层位于所述底部金属层底部之外的部分，保留位于所述底...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。