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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上具有栅极结构，栅极结构两侧基底内具有源漏掺杂区，栅极结构露出的基底上具有层间介质层且层间介质层覆盖栅极结构顶部；在栅极结构两侧的层间介质层内形成露出源漏掺杂区的第一接触开口；形成贯穿栅极...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。