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本发明公开一种具有接触插塞的半导体结构及其制作方法，该具有接触插塞的半导体结构包含一基底，基底上定义有一存储器区以及一周边电路区，存储器区内包含有至少一存储单元，存储单元包含有一晶体管和一电容结构，一平坦化第一堆叠介电层覆盖周边电路区，平坦...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。