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本发明公开一种改善钨金属层蚀刻微负载的方法。首先，提供一半导体基底，具有一主表面，其中该半导体基底上具有多个沟槽。在该半导体基底上全面沉积一钨金属层，并使该钨金属层填满该多个沟槽。对该钨金属进行一平坦化制作工艺，以于该钨金属层上形成一平坦化...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。