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本发明涉及一种基于叠层钝化型的高电子迁移率晶体管及制备方法，包括：S101、选取外延基片；所述外延基片由下往上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；S102、在所述外延基片上制作源电极和漏电极...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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