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本发明公开了一种薄膜制备方法、MoS2薄膜和光电探测器，所述方法利用激光脉冲轰击靶材，使靶材材料以等离子体的方式溅射出来，进而沉积在衬底表面，并通过原子间作用力相互吸附进而形成薄膜。所述薄膜优选为层状过渡金属二硫族化合物薄膜，特别是MoS2...
该专利属于北京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京邮电大学授权不得商用。

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