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本发明公开一种半导体存储元件，包含一存储列，多个存储单元，一第一P型阱区，一第二P型阱区，以及一N型阱区，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。该半导体存储元件定义有多个第一区域、多个第二区域、多个第三区域以及多个第四区域，每...
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