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本发明公开了一种分栅SONOS闪存存储器的制造方法，包括：衬底上生长选择管栅氧化层；淀积第一多晶硅poly层、氧化硅层、氮化硅层，光刻打开并依次刻蚀形成选择管多晶硅栅；刻蚀去除选择管多晶硅栅外的栅氧化层，淀积ONO层；选择性刻蚀去除逻辑区的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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