温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。半导体元件包含具有存储器单元区以及周边区的半导体基底、设置于周边区内的栅极线、覆盖于栅极线与半导体基底上的蚀刻停止层、覆盖于蚀刻停止层上的第一绝缘层、两个设置于周边区内的半导体基底上的接触插塞、两个分别...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。