温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管每一者均包括：形成在基体上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的金属栅极电极；以及形成在所述金属栅极...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。