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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括第一区和第二区，基底的第一区内具有第一掺杂区，基底的第二区内具有第二掺杂区，基底、第一掺杂区和第二掺杂区上具有介质层；在介质层上形成掩膜层，掩膜层具有若干掩膜开口，第一区的掩膜开口...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。